Jones博士在准备材料中提出了以下重要观点：

1️⃣ 半导体行业长期前景显著恶化

自关税和贸易挑战开始以来，半导体行业的长期前景已明显恶化。IBS预计，到2030年，半导体行业销售额将从1.16万亿美元降至9730亿美元，降幅达16%。

这相当于长期增长潜力（2030年前）的年复合增长率（CAGR）从11%降至8%，即减少了3个百分点。

2️⃣ 中国芯片企业全球竞争力提升

IBS认为，中国芯片企业的全球竞争力正在上升，这将显著影响在中国运营的西方半导体企业的前景。

在功率分立器件、电源管理、MCU、模拟芯片、NAND闪存和显示驱动等产品类别中，本地化迁移的预期尤为明显。

总体来看，考虑到中国企业在本地化迁移方面的进展，到2030年，西方半导体企业的五年复合年增长率（CAGR）将面临额外的3个百分点阻力（从8%降至5%）。显然，人工智能（AI）主题对于增长至关重要，若无法有效利用这一主题，可能难以维持增长。同时，中国市场的价格压力加剧也将成为一个持续的主题。

中国芯片制造：存储领域进展显著，代工领域仍需努力

Jones博士指出，中国先进芯片制造领域呈现喜忧参半的局面：在存储领域取得了良好进展，但在先进代工领域则成果有限。

例如，CX存储在DRAM领域的产能正从每月30万片大幅扩张至每月50万片。此外，尽管中国在高带宽存储器（HBM）领域面临限制，但正大力投资3D DRAM，预计2029/30年将实现商用。

在代工领域，IBS指出，对于相同晶圆尺寸，ZXGJ在7纳米节点的良率仅为30-40%，而台积电则为80-85%。对于不使用极紫外光刻（EUV）技术的5纳米节点，将面临挑战，而美国政府可能会阻止中国获取3/4纳米技术。这意味着代工领域仍是中国的薄弱环节。

在中国代工厂的半导体设备支出方面，IBS指出，中芯国际已在2020-2024年期间储备了大量工具和备件。

交流要点：中国的薄弱环节、美国政策、欧洲的优势

投资者提出的问题涉及多个方面，包括中国在光刻、工艺控制和电子设计自动化（EDA）工具等领域仍存在的差距。

IBS确认，光刻仍将是中国的明显薄弱环节，但工艺控制也是问题之一，不过逆向工程正在进行中。

对于EDA工具，中国已投入大量资金，但本地公司目前仅能支持28纳米及以下的设计。然而，通过利用人工智能进行芯片设计是一个途径，中国在这一领域进行了大量投资，预计到2029/30年将能够实现3纳米的设计。更大的担忧是无法获取2纳米全环绕栅极（GAA）技术。

其他关键议题包括美国对中国崛起的适当政策回应。IBS指出，人工智能在军事应用中的使用仍是一个令人担忧的问题，且可能会实施更多限制。然而，在未来3-5年内，随着英伟达向A14-A10迈进，而中国则停滞在7纳米，可能会出现一个关键的“危机点”。届时的问题将是，当大部分晶圆都来自tw时，中国是否会允许其产业在人工智能领域落后。在IBS看来，关键在于美国要在量子计算、5.5G和机器人等领域加速技术开发。

对于英特尔，IBS认为英特尔和台积电应采用相同的1纳米技术，但使用台积电设计的新、更大的晶圆厂。

在中国不仅能引领国内市场，还能在全球芯片领域发挥领导作用的领域方面，Jones博士认为碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件是其中之一。此外，显示驱动IC也是其中之一。相反，西方企业在中国与中国半导体企业竞争良好的一个领域是软件。Jones博士指出，许多西方芯片“产品”公司正在增强其成为“解决方案”公司的能力。然而，这将意味着与客户竞争。

IBS指出，英飞凌在中国数据中心电源领域将面临重要机遇，而不仅仅是在英伟达领域。对于意法半导体（ST Micro），Jones博士指出，其MEMS/成像部门极具竞争力。然而，关键挑战在于，尽管欧洲在创新方面表现出色（包括受益于imec的卓越成就），但该地区的营销能力却较差。

德银总体看法：令人清醒的观点，表明许多半导体企业在重大战略问题上陷入困境

尽管IBS对边缘人工智能等新兴领域表示乐观（同时指出，仅限美国的数据中心资本支出可能在2026年下降），但行业增长的总体数据以及西方半导体企业在中国面临的挑战仍值得关注且令人清醒。

难怪许多企业似乎都在为重大战略问题而苦苦思索，尤其是那些没有引人注目的人工智能或数据中心故事的企业。然而，显然，从更具竞争力的中国市场撤出不太可能是明智之举。因此，对于西方半导体企业而言，关键问题仍在于如何在一个更具竞争力的中国市场中保持相关性和繁荣发展，即使非中国企业在中国的销售机会将以-4%的复合年增长率下降。每日调研精选