华为即将发布智界S7 ，采用“巨鲸”800V 高压平台，配备业界最薄的800V 高压电池包，使得手机具有更快的充电速度和更长的续航时间。

碳化硅是800V 高压快充的标配，这种材料相比硅基IGBT 在400V 平台具有更高 的效率。在800V 平台上，碳化硅基NOSFET  的整体系统效率可以提高8%,并且相同规格的尺寸仅为硅基IGBT 的1/10。随着越来越多的汽车制造商开始使用 800V 平台，碳化硅的应用已经成为大势所趋。

一、什么是碳化硅

碳化硅 (SiC）是第三代半导体材料的一种，主要用来做功率器件，现在的绝大部分半导体材料都是硅基(Si），SiC占比不到10%。SiC 产业链主要包含粉体、单晶材料、外延材料、芯片制备、功率器件、模块封装和应用等环节。

按照技术的发展，以后从高端开始逐步渗透替代现有的IGBT是一个趋势。碳化硅器件能承受更大的电流和电压、更高的开关速度、更小的能量损失、更耐高温。因此用碳化硅的做成的功率模组可以相应的减少了电容、电感、线圈、散热组件的部件，使得整个功率器件模组更加轻巧、节能、输出功率更强，同时还增强了可靠性，优点十分明显。

二、碳化硅的主要应用

1）新能源汽车领域

新能源汽车是 SiC 功率器件最大的应用领域，目前是 24 亿美元市场，2030 年将超过 150 亿美元。在新能源汽车上，传统功率器件通常采用 IGBT 技术方案，但近年来随着材料科技的发展，碳化硅(SiC)正成为技术热点。

目前，SiC 已实现了车规级应用，不过SiC 尚未完全取代 IGBT，因为这几种材料都有各自的技术优势。但是SiC 凭借其在性能以及降低整车成本等方面的诸多优势，正越来越受到新能源汽车市场的青睐，特别是牵引逆变器中的应用越来越广，并且该趋势在未来几年会变得更加明显。

目前特斯拉，蔚来的ET7都开始应用碳化硅模块。

2）充电基础设施

SiC 在高功率充电桩领域极具竞争优势。在汽车厂商的推动下电池电压从 400V 增加到 800V，充电桩电压从 500V 增加到 1000V，这也导致充电桩需要采用电压 1200V 的功率部件。而基于 SiC 技术的功率开关管和功率二极管，能提供比硅基 IGBT 尺寸更紧凑的解决方案，更高的效率、频率都能令高功率充电桩受益。

在碳化硅器件的制造成本中，衬底是占比最大的部分，达到47%。衬底是碳化 硅器件的核心部件，其质量和性能对器件的整体性能有着至关重要的影响。此外 ,外延、前段、研发和其他环节的成本也占据了一定的比例。

碳化硅产业链的发展前景十分广阔。预计到2028年，全球碳化硅市场规模将达 到66亿美元，其中新能源汽车市场将占据主导地位。此外，碳化硅单晶硅炉的 市场空间也很大，预计在2023-2026年期间，其市场空间将达到88亿元人民币。

三，相关公司：

第一梯队的公司包括：

天科合达(未上市):在2022年全球碳化硅 (SIC)  市场中占有13%的份额。 

天富能源 (91亿):涨停，持有天科合达9 .09%的股份，积极布局碳化硅新材料产业。

天岳先进 (320亿):在2022年全球SIC 市场中占有2%的份额，覆盖2至8英寸全系列。

第二梯队的公司包括：

斯达半导 ( 3 2 3 亿 ) : 作 为 国 内IGBT 模块市场的者，自主开发的SiC MOSFET   模块已在主电机控制器客户处完成验证并开始小批量出货。

民德电子 (53亿):涨停，积极布局碳化硅器件核心环节的全产业链，预计今 年将开始量产碳化硅外延片并具备明确的意向客户，同时将开始量产碳化硅器件

甘化科工 (48亿):涨停，通过参股14 . 32%的苏州错威实现了SiC 功率器件的产业化开发和应用。

第三梯队的公司包括：

晶升股份(78亿):在长晶炉市场中占有29%的份额。

北方华创(1251亿):在长晶炉市场中占有50%的份额。

第四梯队的公司包括：

宇环数控 (38亿):涨停，已推出碳化硅设备的部分样机并在客户现场进行试用。

中芯集成 (369亿):作为国产车规级代工市场的者，实现了大规模车规级 碳化硅MOS 产品的量产，具备每月2000片(6英寸)的产能。

四，国内外碳化硅产能跟踪

1. 天科合达
现有产能：2-4英寸碳化硅晶片产能达5833片/月；4-8英寸SiC衬底产能约5833片/月
产能计划：碳化硅衬底项目预计可年产6英寸碳化硅衬底12万片，其中6英寸导电型SiC晶片约8.2万片，6英寸半绝缘型SiC晶片约3.8万片。
2. 天岳先进
现有产能：SiC衬底产能约5583片/月
产能计划：碳化硅半导体材料项目预计2022年三季度实现一期项目投产，并计划于2026年实现全面达产，对应6英寸导电型SiC衬底产能为30万片/年。
3. 河北同光
现有产能：4-6英寸碳化硅单晶衬底产能8333片/月
产能计划：计划建设年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，预计2025年末实现满产运营。
4. 露笑科技
现有产能：6英寸SiC衬底预计2022年底能实现产能5000片/月
产能计划：预计在2023年实现年产24万片导电型SiC衬底、5万片外延片的产能规划。
5. 瀚天天成
现有产能：6英寸SiC外延片一期产能5000片/月。二期项目于2022年3月31日顺利竣工，产能达16666片/月
产能计划：碳化硅产业园三期项目将于今年年内启动建设，三期项目产能规模将达140万片。
6. 东莞天域
现有产能：3英寸、4英寸SiC外延晶片产能超1666片/月
产能计划：2022年3月，“国产碳化硅外延设备产业化应用”项目计划年产2万片6英寸碳化硅外延片。
7. 斯达半导
产能计划：SiC研发及产业化项目，预计达产后将形成年产36万片6英寸SiC功率芯片的生产能力；拟投2.2947亿元建设车规级全SIC功率模组生产线和研发测试中心，年产8万颗。
8. 泰科天润
现有产能：4英寸SiC晶圆线产能666片/月；一期6英寸SiC晶圆已通线，产能5000片/月
2021年，6英寸碳化硅电力电子器件生产线进入量产，一期产能预计为6万片/年。
9. 华润微
现有产能：6英寸SiC晶圆生产线产能约为1000片/月。
10. 时代电气
现有产能：4英寸SiC芯片线833片/月
产能计划：SiC芯片产线扩产项目，建设工期为24个月，预计建成后将现有4英寸SiC芯片线年1万片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线2.5万片/年。
11. 三安光电
现有产能：6英寸SiC晶圆产能6000片/月
产能计划：湖南三安一期项目完成建设并顺利投产，目前6英寸碳化硅晶圆产能达30000片/月。
12. 士兰微
现有产能：已实现SiC功率器件中试线通线
产能计划：士兰明镓拟建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能。
13. Wolfspeed
现有产能：预计2022年SiC衬底产能折合6英寸达到7.1万片/月
产能计划：纽约的全球第一座8英寸SiC晶圆厂预计在2022年第三季度量产。
14. II-VI
现有产能：SiC衬底产能折合6英寸达到16666片/月
产能计划：计划5年内6英寸晶圆产能扩张5-10倍，8英寸衬底2024年量产。
15. Rohm
产能计划：预计2025年扩产SiC衬底产能至30-40万片
预计2023年量产8英寸，计划到2025年投资850亿日元，使产能提升16倍。

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