1、第三代半导体引领电力新能源半导体新时代

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面氮化镓GaN、碳化硅SiC性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体。

虽然硅（Si）是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料，但近年来硅材料的潜力已经开发殆尽，在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场有望迎来快速发展机遇，待成本下降有望实现全面替代。

2、千亿市场，第三代半导体渗透率逐年提升

我国第三代半导体整体产值超7100亿元，2023年第三代半导体材料渗透率有望接近5%。

从整体产值规模来看，根据CASA数据，我国第三代半导体整体产值超过7100亿。其中，半导体照明整体产值预计7013亿元，受新冠疫情影响较2019年下降7.1%；碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%；氮化镓(GaN)微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。

从渗透率角度来看，根据Yole数据显示，硅（Si）仍是半导体材料主流，占比95%。第三代半导体渗透率逐年上升，碳化硅（SiC）渗透率在2023年有望达到3.75%，氮化镓(GaN)渗透率在2023年达到1.0%，第三代半导体渗透率总计4.75%。

3、投资机会梳理

电力新能源的新时代，中国第三代半导体将迎来历史性发展机遇。国内布局碳化硅（SiC）的上市公司从产业链角度可以分为5类：

1）专注衬底材料：天岳先进

2）器件端IDM布局：华润微、斯达半导、闻泰科技

3）从材料到器件一体化布局：三安光电

4）芯片设计厂商:新洁能

5）设备+材料布局：露笑科技，中微公司