第一代半导体：硅(Si)、锗(Ge)为，特别是Si，构成了一切逻辑器件的基础，我们的CPU、GPU的算力，都离不开Si的功劳。

　　第二代半导体：以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表，其中GaAs在射频功放器件中扮演重要角色，InP在光通信器件中应用广泛。

　　第三代半导体：涌现出了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等新兴材料。其中，碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)目前是技术相对较为成熟的材料，而氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)还处在研究起步阶段。

　　一代、二代、三代半导体之间，并非简单的取代关系，行业足够大、需求足够多样，每一种材料都会找到适合的需求空间。对于第三代半导体材料而言，一般射频器件主要采用GaN，功率器件主要采用SiC和GaN。

　　第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路;其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。

　　以氮化镓(GaN)为例，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域;在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。

　　根据Yole测算，GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年约20亿美元，年均复合增速达21%;主要受益于电信基础设施5G宏基站建设、国防、快充、汽车电子、消费电子等应用推动。

　　A股相关公司(按9月4日涨跌幅排名)：

　　乾照光电 300102：公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。

　　聚灿光电 300708：公司目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术局势研发氮化镓材料的生产技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。

　　易事特 300376：易事特作为国家第三代半导体产业技术基地(南方基地)第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，现主要负责碳化硅、氮化镓功率器件的应用技术研发工作。公司已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC, 双向DC/DC新产品。

　　豫金刚石 300102：公司产品可应用于半导体硅切片等领域。

　　台基股份 300046：公司积极布局 IGBT、固态脉冲开关及第三代半导体等前沿领域。

　　扬杰科技 300373：公司积极推进第三代款禁带半导体项目的研发及产业化项目。

　　华灿光电 300323：公司在保持LED领域的领先地位和竞争力的同时，公司持续加大产品研发投入和技术创新，积极布局第三代半导体材料与器件领域，发力GaN基电力电子器件领域。

　　露笑科技 002167：公司将与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园，致力打造碳化硅“设备--衬底--外延”的完整产业链。

　　派瑞股份 300831：公司将通过首次公开发行股票募集资金建立具有小批量一定中试能力的碳化硅基器件研发实验中心，以满足新产品的研发和中试供应市场。

　　三安光电 600703：公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额为160亿元。

　　斯达半导：正在进行第三代IGBT芯片的研发，并成功研发量产SiC模块。

　　海特高新 002023：子公司海威华芯在中国率先提供六英吋砷化镓(GaAs)集成电路的纯晶圆代工服务;在第三代半导体(氮化镓GaN)领域拥有国际领先、国内一流的技术;在全球氮化镓芯片专利技术属于一流梯队，公司专利总共249项，其中过半数是发明专利。

　　赛微电子 300456(原耐威科技)：控股子公司聚能晶源团队掌握了国内领先的第三代半导体氮化镓(GaN)从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验，成为高频大功率应用的8寸硅基氮化镓(GaN)晶圆材料供应商。士兰微 600460：公司持续加大在第三代半导体的投入，主要针对的是硅基氮化镓功率器件，公司已于2017年建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片试线，涵盖材料生产、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全产业链。

　　捷捷微电 300623：公司与中科院电子研究所、西安电子科大合作研发的是以Sc、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。

　　国星光电 002449：公司正布局第三代半导体器件与模组等新技术的开发与研究并已申请多项相关技术专利。

　　华润微 688396：第三代半导体方面，公司根据研发进程有序推进碳化硅(SiC)中试生产线建设，目前已按计划完成第一阶段建设目标，利用此建立的基础条件完成了1200V、650VSiCJBS产品开发和考核。

　　云南锗业：公司GaAs单晶片产能为80万片/年(折合4英寸)。

　　智光电气 002169：间接投资广州粤芯半导体技术有限公司。粤芯半导体有项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。

　　利亚德 300296：参股公司Saphlux在2018年3月实现了4英寸半极性氮化镓材料的量产。

　　有研新材：目前有研光电拥有60万片/年的GaAs衬底产能。

　　华微电子 600360：公司积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术，逐步具备向客户提供整体解决方案的能力。

　　晶盛机电 300316：公司开发的碳化硅外延设备，有助于拓展在第三代半导体设备领域的市场布局。

　　闻泰科技 600745：收购的安世GaN功率器件已通过车规级认证，开始向客户供货，SiC技术研发进展顺利

　　兆驰股份 002429：公司能够独立完成“蓝宝石平片--图案化基板PSS--LED外延片--LED芯片”整个制作流程，有氮化镓外延片，能够提供全面的芯片解决方案。

　　此外，华峰测控、澳洋顺昌、和而泰、安克创新、华天科技、北方华创、富满电子、天健科技、航天发展、海能实业等也都涉及到第三代半导体氮化镓概念。

　　这里有一个明显的炒作现象：涨幅靠前的概念股，同时叠加MiniLED概念，LED也是氮化镓一个非常重要的应用领域。