128层3D NAND研发成功，存储进入国产新纪元-200413 4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3DNAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，为国内首款，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。

产业链众多“小伙伴”受益

　　长江存储透露，TLC和QLC两款128层产品，将于2020年底至2021年上半年陆续开始量产。

　　长江存储的设备供应商无疑率先受益。此前，长江存储副董事长杨道虹曾对媒体表示，长江存储将尽早达成64层3D NAND闪存月产能10万片，并按期建成月产能30万片的二期工程。据此，2020年将成为国产设备获取订单的最重要时间节点。

　　一般来说，一家公司的一期设备供应商，会顺理成章地成为其后续项目的供应商。长江存储一期项目的国内供应商有中微公司、北方华创（002371）、盛美半导体、上海睿励、沈阳拓荆等。

　　点评
　　长江存储128层3DNAND研发成功，存储进入国产替代新维度。X2-6070作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，拥有同类型号产品中最高单位面积存储密度（4bit/cell）、I/O传输速度（1.6Gb/s）、单颗NAND闪存芯片容量（1.33Tb）。长江存储Xtacking升级至2.0，外围电路和存储单元分别采用独立制造工艺，可以进一步释放3DNAND闪存潜能，应用更先进制程；QLC是继TLC后新的技术形态，具备大容量、高密度的特点，降低单位字节成本。128层3DNAND闪存将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，5G、AI计算带来的增量市场可期。
　　存储领域市场集中度高，由日韩美厂商寡头垄断。在半导体存储领域，市场集中度高，市场呈现由日韩美厂商寡头垄断的态势，厂商三星电子、SK海力士、美光等影响力度较大。全球存储产品中，DRAM市场份额占比为61%，NAND市场份额占比为36%，NORFlash、ROM和SRAM瓜分剩余市场。在DRAM市场领域，韩系厂商合计享有73%的份额，美系厂商市场占比22%；NANDFlash市场领域，韩系厂商占比45%，美系厂商占比35%，日系厂商占比19%。

　　国内存储加快布局，缩小与海外先进产商差距。目前，我国在中低容量的存储器如NORFlash上国产替代进步明显，兆易创新、武汉新芯、上海东芯等均有所布局，与海外差距主要在产品的稳定性层面。而在大容量领域DRAM与3DNANDFlash，我国厂商正处于不断追赶阶段：DRAM方面，紫光国芯与兆易创新积极拓展，但在先进主流市场DDR4、DDR5上与日韩美厂商仍存在差距，先进制程实现量产也需一定的发展时间；3DNANDFlash方面，技术、良率、可靠性均是我国存储厂商不断努力提升的方向，长江存储128层3DNAND产品的研发成功，以及此前64层3DNAND产品的量产，极大地缩小了与三星、美光、SK海力士等厂商的差距，存储的国产替代发展阶段进入新维度。
　　受全球疫情影响，存储价格缩短上涨周期。据Gartner预测，2020年全球半导体收入预计下降0.9%，其中,存储器业务预计为1247亿美元仍增长13.9%。存储器市场此前因供需不对等，长期处于低价周期，自2019年Q4以来，因库存出清、供给不足，存储价格呈现反弹态势，按产业推断上涨区间预计维持至2020Q3。但目前受疫情影响，上涨趋势受阻。供给端，部分存储器生产地如新加坡与日本陆续封城，短期物流或延迟但影响较小；需求端，5G换机带来的需求浪潮或延后，国内现已陆续复工复产，但海外消费电子需求恢复预计在Q2季度末。整体来看，存储器价格上升趋势短期受阻，需求呈延后状态，但长期产能提升有限，半导体公司资本开支从投入到产能释放周期最少在6个季度，存储器产线扩张时间较长,因此虽存储涨价周期或缩短，但全年收入仍有望增长。
　　相关标的：兆易创新（NORFlash）、北京君正(MCU)、澜起科技（内存接口芯片）、韦尔股份(CIS)、长电科技（封测）、华天科技（封测）、晶方科技（封测）