一、赛道细分

我前面已经把半导体之中的集成电路这个赛道全部分享完了，大家不要觉得半导体核心就过去了，其实无论是分立器件、传感器还是光电器件都在半导体行业中都是至关重要的作用，市场规模也都不小，今天我就分享第一个分立器件，分立器件主要包括四类二极管、晶闸管、Mosfet、IGBT。国内分立器件玩家相对于集成电路芯片没有那么大，差距较小也是目前最容易实现国产替代的赛道，国内玩家当中扬杰科技是布局产业链最全、市值目前最高的，当之无愧的分立器件龙头，我同样从行业的规模及发展趋势、竞争格局、核心驱动力几个方面给大家详细的剖析。

二、企业简介

扬杰科技成立于2006年，2014年上市。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于芯片、二极管、整流桥（注意：通常可以把整流桥和二极管放在一起）、电力电子模块等半导体功率器件领域的产业发展。公司产品主要用于汽车电子、LED照明、 太阳能光伏、通讯电源、开关电源、家用电器等多个领域，基本覆盖了多行业国内优质客户，为公司后续发展打下了良好的基础。公司横向上覆盖功率二极管、晶闸管、 晶体管等不可控、半控、全控等各层次各类别的功率半导体产品，纵向上具备从功率半导体器件-模块-芯片的全链条设计生产能力，深耕功率半导体领域，力图打造成为大陆的功率半导体 IDM （设计+制造+封装）龙头企业。 公司管理层治理结构优秀致力于将扬杰科技打造成国内功率半导体领军企业，未来有望成为国际知名品牌。

三、行业规模及发展趋势

1、行业规模：2017年国内半导体分立器件市场需求达到2,458.1亿元，同比增长10.80%，2011年至2017年之间年均复合增长达13.11%。根据中国半导体行业协会预测，2019年中国半导体分立器件市场需求将达到2880.4亿元，到2020年分立器件的市场需求将达到3,102.2亿元。从中长期来看，在市场需求拉动以及产业政策、资本市场等多重有利因素支持下，国内半导体市场需求仍将呈现稳定的增长势头。

2、发展趋势：近年来，我国半导体分立器件行业的产销规模不断扩大，对国外产品的进口替代效应不断凸显。未来，随着国内半导体分立器件行业逐步突破高端产品的技术瓶颈，国内优秀企业将凭借地缘、技术和成本等方面的优势获得更多的发展机会，我国半导体分立器件对进口的依赖将会进一步减弱，进口替代效应将显著增加。军工半导体分立器件产业长期推行国产化和自主可控，经过长期积累，已形成较为成熟的生产工艺和产业体系，国产化程度较高，尤其在高可靠产品领域具有明显优势，民用市场为半导体分立器件军民两用技术提供了广阔的发空间，相关军工企业有望充分受益于民用市场的拓展。

四、企业护城河及竞争格局

1、护城河：IDM模式竞争优势凸显。功率半导体器件的性能由其内部芯片决定，而芯片的设计参数必须通过严谨精湛的生产工艺得以体现，因此，器件的设计与工艺制造密切相关。按照半导体分立器件的生产环节完整性，行业的经营模式分为IDM垂直整合式和代工式。IDM模式包含芯片设计、制造及器件封装和销售等所有环节，其中核心竞争力在于强大的芯片设计能力和精湛的生产工艺，产品附加值高，高盈利性主要体现在芯片设计和制造环节。以代工为经营模式的企业主要为有芯片设计、制造能力的企业提供后道封装工序代工业务，竞争激烈，利润空间较小。此外，从资金投入上看，功率半导体采用特色工艺，并不需要追求先进的制程，资金投入远小于集成电路，国内厂商可以利用资本优势获得先进工艺，快速追赶海外巨头；从技术上看，国内企业从低端 功率器件起家，积累多年开始向高端器件进军，以中车、比亚迪为代表的厂商已实现技术突破，成功实现国产化 IGBT 在高铁和新能源汽车中的应用。而扬杰科技等在功率半导体上的技术储备与国外差距很小，国产替代大势所趋。

2、竞争格局：目前虽然大部分份额还是被国外玩家占据，但是受到成本压力，国内的土地、人才红利的影响，国际半导体功率巨头主攻高压Mosfet、IGBT等应用于汽车领域的高端市场，逐步放弃中低端二极体的生产。这就给国内厂商从低端市场开始逐步发展的空间，从产品端来看并不直接与国际玩家形成竞争。这也是为什么分立器件是最容易实现国产替代的，国内3000亿的市场规模非常吸引人。扬杰科技作为国内龙头在竞争格局良好的状况下将充分受益这轮的成长。英飞凌功率半导体器件的全球龙头，营收大约在70亿欧元，而我们的杨杰科技目前只有20几亿的人民币，追赶空间巨大。

五、核心驱动力

1、国产替代迫在眉睫，自主可控势在必行。在国内对分立器件市场需求不断提升之际，也对技术使用的安全性提出了更高的要求，不能所有核心技术都是用国际玩家的，尤其是军工、航天等重要领域。

2、产品升级快速进行中，国内现状就是低端产品居多，高端产品还是被国际玩家垄断，扬杰科技历来非常注重研发，研发人员、研发费用逐年提高，战略布局Mosfet及第三代半导体。Mosfet是高端半导体分立器件的一种，利润率明显高于目前公司的产品。第三代半导体主要是以碳化硅 (SiC)、氮化镓(GaN)为代表，即宽禁带半导体材料。第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是半导体材料领域最有前景的材料。

3、下游需求行业高速增长带动分立器件的需求，新能源汽车比传统燃油车对分立器件的数量要多很多，而且整体行业无论是从政策支持还是技术的演变都是处在高速发展中，LED照明成本低使用寿命长，随着城市化进程深入夜晚城市灯光秀带动LED的增长、拉动分立器件的需求，光伏产业主要受益于5G商用提速，对信号传输密度的增加，从而增加对光缆布线的增加，同样拉动对分立器件的销量。