美国对华半导体制裁影响几何？

蓝白相见 / 12月04日 08:03 发布

1、科技主线与国产化趋势

科技主线构成：科技主线包含AI和国产化两条线，未来一段时间科技发展将围绕这两条线展开。在国产化方面，美国政治局势稳定后，国产化替代的迫切性在加快。

本轮国产化特点：经过过去三到五年的国产化替代，当前形势下国产化替代环节中最薄弱的环节可能是本轮产业最受益的环节。结合新制裁情况，半导体核心设备（光刻、量检测、薄膜沉积刻蚀）、HBM、先进封装、GPU是国产化率最低且绕不过去的核心环节，这些环节对应的产业链公司在本轮产业趋势中估值可能会有充分溢价。

2、半导体设备相关情况

管制条例方向：管制条例主要有三个方向。自2022年开始的设备管制已到第三波，大方向仍是围绕先进制程进一步细化所需设备。如9月美国公布法案对GPU相关刻蚀和检测设备进行管制补充，12月又对纳米压印光刻机相关设备、光刻前后检测设备、单片清洗设备等进一步细化。

特殊设备管制：部分高端管理刻蚀、低制程DUV光刻机等设备虽用于先进制程但在成熟制程也广泛应用，会有针对具体环境的审批。HBM相关设备方面，此次单独提及TSV相关设备，总体与之前预期区别不大。

影响：超100家国产芯片设计设备公司被加入，包括北方华创、盛美半导体等上市企业和新莱应材等非上市企业及其子公司等。前道公司中微未进，而后道公司华峰测控进入，管控范围从前道扩散到后道。

对设备公司业务影响：从22年开始被制裁的公司已做好零部件去美化准备，大公司如北方华创核心零部件去美基本完成。从业务上看，进对设备公司业务开展影响不大。从零部件角度，除美系外还有其他途径，部分零部件国产化进展较快，设备公司进清单后长远看会进一步催化设备端和零部件端的国产替代。

3、EDA与半导体材料情况

纳入情况：EDA软件和半导体材料公司如华大九天、南大光电进入，这符合之前预期。

EDA管控新变化：EDA管控范畴内把相关软件密钥加入管制范围，这对内公司获取密钥增加了难度，主要是为管控盗版，整体仍符合之前预期。

4、半导体制造相关情况

新增情况：140多家新增芯片公司中有小部分国内先进产线如青岛新恩等被放进，中芯国际上海研发中心也被纳入，因其可能支持新型工艺产线研发。

外国直接产品规则影响：对已在实体名单上的企业如中芯国际、福建晋华等新增FDPR准则。规定无论设备在美国或境外生产，只要生产过程依赖美国技术或软件都会受美国出口管制；这些实体采购含美技术设备（生产中用到美国技术或软件）会受到严格管控，限制从25%含美量扩大到0%以上。

VEU计划变动：美国将华润上华、华虹、中微移除VEU计划，该计划之前可让企业在单独许可下出口或购买商品，现在这些企业被移出白名单。

先进封装情况：先进封装相关工厂大多未受限制，只有盛和金威被界定为华为系或中芯国际相关产业而放入。

情景分析审查：新增八条reflect审查，主要管控漏洞和补丁，如管控晶圆厂运营中的物理连接情况（先进厂和成熟制程厂相连时，成熟制程厂采购设备用于先进工艺厂的情况），以及对无法判断用途的出口商或转让商加强审核。

对国内先进工艺产线影响：国内先进工艺产线公司后续采购先进工艺相关设备难度增大，日本和荷兰涉及FDPR规则的细则。此次管制聚焦前道先进工艺厂，未涉及后道封测环节，但不排除后续后道封装设备等被放入的可能。

功率半导体相关情况：闻泰科技被放进，主要因其涉及相关投资，但对其影响不大，因为它主要聚焦功率半导体领域。

5、存储环节相关情况

HBM管制情况：限制获取HBM符合市场预期。对HBM的管控从18纳米更改为限制存储单元面积和存储密度，新增3A090点C对HBM进行管制，管制对象为内存带宽密度大于2GB每秒每平方毫米的HBM。目前主流HBM生产厂商受外国直接产品规则制约，只有低于3.3GB每秒每平方毫米的HBM可授权许可例外。

短期影响可控：主流国产算力芯片主要使用HBM2和HBM2E，主要来源为三星和海力士，中国企业已囤积相当数量的HBM，短期内对中国算力芯片企业影响可控，长期看会促进HBM生产国产化进程。

DRAM管制变化：对DRAM先进制程定义从18纳米或更先进生产节点修改为满足存储单元面积小于0.0019平方微米或存储密度大于0.288Gb每平方毫米两个标准中的任何一个，新定义覆盖HBM但管控未升级，对NAND的管控标准维持不变。

具体企业情况：武汉新芯进入，而之前预期的合肥未进入。武汉新芯正在建设针对HBM生产的工厂，长期看此次制裁对HBM国产化有促进作用，可关注先进封装、HBM设备和材料产业链上的公司。股市调研

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