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7月18日收费频道午盘综述

黑郁金香   / 07月18日 12:52 发布

  产能排挤效应掀涨价潮 盯死HBM未来主流堆叠方向

  近期的市场博弈持续,股指一波反弹之后震荡回落走低,市场的博弈在持续,盘面热度也明显降温,不过近期对于消费电子、科技主题、半导体板块仍值得我们跟着关注。而近期我们多次关注HBM(高带宽存储器)机会,而最新消息显示,K海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合,目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂,用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱,并直接键合焊盘,这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠,并增加带宽。

  之所以近期HBM的热度如此之高,主要是HBM(高带宽存储器)已成为当前高性能计算、人工智能等领域的首选内存技术,当前AI高景气不断驱动HBM需求高增,持续推动HBM位元出货量和产值同步增长。供应链透露,已接获三星通知,其高频宽存储器(HBM)产品HBM3e通过英伟达(NVIDIA)认证,预计本季开始供货,并将提拨高达三成既有DRAM产能生产HBM3e,造成庞大的产能排挤效应,'要赶紧备货(DRAM)',料将引爆DRAM涨价潮重头戏,南亚科、威刚、十铨等台厂坐享涨价利益。业界分析,三星是全球存储器龙头,DRAM市占高达45%以上,以三星拟提拨三成产能生产HBM3e换算,全球现有超过13%的DRAM产能不再投入DDR4或DDR5等DRAM,导致DRAM市场供给更紧俏。

  HBM具有三大堆叠键合工艺:MR-MUF、TC-NCF与混合键合。考虑到未来因带宽、容量增长所带来的堆叠层数及密度提升,SK海力士将利用混合键合技术来加工生产HBM4。三大原厂持续扩充HBM产能,SK海力士位居全球市场份额首位。分析师认为,混合键合摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤,通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接,不仅显著提升了信号传输速率,更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求,而且有效降低了DRAM层间距。在HBM行业龙头公司的推动下,混合键合有望迎来加速发展,成为未来HBM主流堆叠技术。

  有机构表示,由于通用型服务器(generalserver)需求复苏,加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高,使供应商将延续涨价态度,第三季DRAM均价将持续上扬。摩根士丹利指出,由于近年来DRAM厂新增产能有限,叠加HBM消耗大量产能,DRAM正迎来前所未有的供需失衡'超级周期',明年标准型DRAM供应缺口高达23%,将比HBM更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。此外,大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估,由原预期8%和10%,上调至13%和20%,调升幅度高达六成以上。上市公司中,300***、300***,以及301***、603***、002***、等值得关注……,

  兆易:是DR­AM概念的龙头股之一,公司主要业务包括闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品(MCU)、传感器和动态随机存取存储器(DR­AM)的研发、技术支持和销售。兆易创新在近3个交易日中整体上涨2.71%,并且计划推出自主品牌存储芯片产品1。

  北京:也是DR­AM概念的龙头股,通过收购北京矽成(原IS­SI)进入存储芯片业务,产品线扩展至SR­AM、DR­AM、FL­A­SH、An­a­l­og及Co­n­n­e­c­t­i­v­i­ty等芯片产品,广泛应用于汽车电子、工业与医疗、通讯设备及消费电子等领域1。

  澜起:在内存接口芯片领域全球市占率第一,达到47%,并且与聚辰股份合作开发DDR5内存芯片2。

  深科:作为国内最大的独立DR­AM内存芯片封测企业,深科技在全球DR­AM封测领域排名第二3。

  紫光:是DR­AM概念股之一,尽管在近7个交易日中有6天下跌,但公司在存储芯片领域具有一定的影响力。