产能排挤效应掀涨价潮 盯死HBM未来主流堆叠方向

　　近期的市场博弈持续，股指一波反弹之后震荡回落走低，市场的博弈在持续，盘面热度也明显降温，不过近期对于消费电子、科技主题、半导体板块仍值得我们跟着关注。而近期我们多次关注HBM(高带宽存储器)机会，而最新消息显示，K海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽。

　　之所以近期HBM的热度如此之高，主要是HBM(高带宽存储器)已成为当前高性能计算、人工智能等领域的首选内存技术，当前AI高景气不断驱动HBM需求高增，持续推动HBM位元出货量和产值同步增长。供应链透露，已接获三星通知，其高频宽存储器(HBM)产品HBM3e通过英伟达(NVIDIA)认证，预计本季开始供货，并将提拨高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，'要赶紧备货(DRAM)'，料将引爆DRAM涨价潮重头戏，南亚科、威刚、十铨等台厂坐享涨价利益。业界分析，三星是全球存储器龙头，DRAM市占高达45%以上，以三星拟提拨三成产能生产HBM3e换算，全球现有超过13%的DRAM产能不再投入DDR4或DDR5等DRAM，导致DRAM市场供给更紧俏。

　　HBM具有三大堆叠键合工艺：MR-MUF、TC-NCF与混合键合。考虑到未来因带宽、容量增长所带来的堆叠层数及密度提升，SK海力士将利用混合键合技术来加工生产HBM4。三大原厂持续扩充HBM产能，SK海力士位居全球市场份额首位。分析师认为，混合键合摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，不仅显著提升了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距。在HBM行业龙头公司的推动下，混合键合有望迎来加速发展，成为未来HBM主流堆叠技术。

　　有机构表示，由于通用型服务器(generalserver)需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季DRAM均价将持续上扬。摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡'超级周期'，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。此外，大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。上市公司中，300***、300***，以及301***、603***、002***、等值得关注……，

　　兆易：是DR­AM概念的龙头股之一，公司主要业务包括闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品(MCU)、传感器和动态随机存取存储器(DR­AM)的研发、技术支持和销售。兆易创新在近3个交易日中整体上涨2.71%，并且计划推出自主品牌存储芯片产品1。

　　北京：也是DR­AM概念的龙头股，通过收购北京矽成(原IS­SI)进入存储芯片业务，产品线扩展至SR­AM、DR­AM、FL­A­SH、An­a­l­og及Co­n­n­e­c­t­i­v­i­ty等芯片产品，广泛应用于汽车电子、工业与医疗、通讯设备及消费电子等领域1。

　　澜起：在内存接口芯片领域全球市占率第一，达到47%，并且与聚辰股份合作开发DDR5内存芯片2。

　　深科：作为国内最大的独立DR­AM内存芯片封测企业，深科技在全球DR­AM封测领域排名第二3。

　　紫光：是DR­AM概念股之一，尽管在近7个交易日中有6天下跌，但公司在存储芯片领域具有一定的影响力。