半导体材料处于整个半导体产业上游，主要分为制造、封装材料。

（1）制造材料：硅片、掩模版、光刻胶、湿电子化学品、抛光材料、电子特气、靶材七大类。

成本分布：硅片33%，电子特气13%，掩膜版12%，光刻胶6%，湿电子化学品7%，抛光材料6%，靶材2%。

（2）封装材料：引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝等。

二. 半导体制造材料国产化情况

（1）硅片：8英寸国产化率55%，12英寸国产化率10%，国内厂商：沪硅产业、立昂微。

（2）掩模版：晶圆厂商自产为主。国内厂商：菲利华、清溢光电。

（3）光刻胶：高端国产化率约10%，国内厂商：彤程新材、南大光电、晶瑞电材、上海新阳。

（4）湿电子化学品：G3及以上国产化率约10%，国内厂商：江化微、格林达。

（5）电子特气：国产化率约15%，国内格局分散，包括：华特气体、金宏气体、雅克科技。

（6）CMP抛光材料：抛光液约30% 、抛光垫约20%，国内厂商：安集科技、鼎龙股份。

（7）靶材：国产化程度最高，国内厂商：江丰电子。

三. 细分环节梳理

3.1 硅片

半导体硅片工艺流程复杂，主要环节包含晶体生长、硅片成型、外延生长。

按尺寸分类，8英寸、12英寸硅片是市场主流产品；按工艺分类，主要分为抛光片、外延片、SOI硅片。

全球半导体硅片市场高度集中，前五大厂商信越化学、SUMCO、环球晶圆、Siltronic、SK Siltron合计占据90%市场份额。

沪硅产业：国内半导体硅片龙头厂商，8英寸产能45万片/月，12英寸产能30万片/月。

3.2 掩模版

掩膜版是光刻工艺所使用的图形母版，功能类似于传统照相机的底片。

台积电、三星、英特尔、中芯等晶圆厂所用的掩膜版主要为自研自产。

清溢光电：国内规模最大的掩膜版生产商。

3.3 光刻胶

光刻技术是指利用光化学原理和刻蚀方法，将图形传递到介质层上，形成功能图形的工艺技术。

光刻胶是一种图形转移介质，其通过曝光显影蚀刻工艺发挥转移作用，将掩模版上的图形转移到基底上。

根据应用领域不同，光刻胶为PCB、LCD、半导体光刻胶，技术门槛逐渐递增。

光刻胶由树脂、光引发剂、溶剂、单体和助剂组成，树脂、光引发剂是影响光刻胶性能的最重要成分:

（1）树脂作为粘合剂，将光刻胶中不同材料聚在一起。

（2）光引发剂为光刻胶中的光敏成分，在吸收光能量后分解为自由基，并可引发单体发生化学交联反应。

全球半导体光刻胶市场被JSR、东京应化、杜邦、信越化学、住友、富士胶片等制造商所垄断。

国内半导体光刻胶市场，仅有彤程新材、南大光电、晶瑞电材、上海新阳、容大感光少数几家。

南大光电：主营前驱体材料、电子特气、光刻胶。公司自主研发的ArF光刻胶为通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。

3.4 湿电子化学品

湿电子化学品作为化学试剂，在光刻、蚀刻等工艺中，用于清除晶圆表面残留污染物、减少金属杂质。

湿电子化学品包括清洗液、显影液、漂洗液、蚀刻液、剥离液等品种。

国内湿电子化学品多集中在G3以下，国产化率为80%；G3及以上国产化率约10%。

江化微：主营业务为超净高纯试剂、光刻胶配套试剂等湿电子化学品。

3.5 电子特气

电子特气属于工业气体的重要分支，应用于半导体生产的各个环节，种类超100种。

根据化学成分不同，电子特气可分为氟系、硅系、硼系、锗系氧化物和氢化物等几大类别。

全球电子特气市场被美国空气化工、德国林德、法国液化空气、日本太阳日酸四大巨头垄断，合计占据94%份额。

近年来国内电子特气国产化替代进程加快，主要厂商包括：华特气体、金宏气体、雅克科技、南大光电。

3.6 CMP抛光材料

CMP又名化学机械抛光，是半导体硅片表面加工的关键技术。

CMP采用机械摩擦、化学腐蚀相结合的工艺，其中化学腐蚀耗材为抛光液，机械摩擦耗材为抛光垫。

（1）抛光液市场，美国Carbot为全球龙头，国内龙头厂商为：安集科技。

（2）抛光垫市场，美国陶氏杜邦一家独大，全球市占率79%，国内龙头厂商为：鼎龙股份。

3.7 靶材

靶材是制备薄膜的元素级材料，通过不同的离子光束和靶材相互作用得到不同的膜系，以实现导电和阻挡的功能。

全球半导体靶材市场呈寡头垄断格局，日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯占据全球80%的市场份额。

靶材国产化率较高，供应商包括：江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技。