功率半导体景气度有所分化，IGBT为首的中高压产品将继续保持高景气！

中信建投认为，2021年半导体行业增速超过30%，展望未来，半导体各细分景气度将出现分化，功率半导体板块的供需仍将保持紧平衡，尤其是IGBT领域，由于海外厂商产能上得较慢，国内IDM厂商迎来份额提升的好时机。

1）功率半导体新周期：行业内部供给结构调整进行中

2020年下半年开始全球疫情带来的居家隔离和远程办公的需求催生了PC和服务器的强劲需求，同时双碳政策下电动车和光伏发电领域对于功率半导体的需求井喷，但是海外大厂受到疫情影响产能供给严重不足，因此拉开了这一轮功率半导体的涨价行情，预计2021年行业增速超过30%。

不同于市场担忧的功率半导体行业景气度开始向下，据中信建投测算，即使新增供给开出，行业整体供需仍处于紧平衡。

行业内部供给结构开始进行调整，预计消费类相关功率芯片由于供绐逐步恢复价格会有所回落，但是车规 MOSFET和小信号产品由于海外厂商减产转移至IGBT和SiC仍处于供不应求，IGBT在电动车和光伏、风电等新能源需求驱动下仍然景气度非常高。

预计2022年功率半导体行业虽然细分赛道有所分化，但是行业景气度总体仍然向上。

2）电动车大时代：IGBT厂商IDM为王

在新能源汽车和光伏、风电等清洁能源的需求推动下，此轮功率半导体新周期最受益的是以IGBT为代表的中高压功率器件，预计国内车规IGBT/SiC模块市场规模在2025年将达到300亿元人民币左右。

如果考虑光伏逆变器带来的100亿乙左右增量需求和工业领域的存量需求，预计2025年国内IGBT为代表的中高压功率半导体市场规模将增至600亿元左右。

2022年预计全球新增IGBT供给不足6万片/月，而且海外大厂英飞凌和安森美的交期仍在一年左右，行业供给仍然非常紧张。

国内IGBT芯片厂商如时代电气、士兰微的IGBT产能已经投产，下游客户验证已经大部分完成，预计2022年国内IGBT厂商的国产化替代进程将提速。

具有IDM产能优势的厂商在车规IGBT领域优势更加明显，能够同时保证较快的产品迭代速度和较短的产品交付周期。

3）碳化硅新世界：衬底成为产业链最重要的环节

功率半导体作为电子电力控制的关键器件，技术持续提升的方向在于单位电压的安培容量，不断提高输岀效率，采用碳化硅衬底制作的功率器件相对于硅基而言具备天然优势，导通损耗和开关损耗都大幅降低，提升了逆变效率。

碳化硅基器件的价值量最大的环节在于衬底，由于碳化硅衬底的长晶速度减慢，良率非常依赖工艺积累，所以在衬底资源已经成为SiC时代的核心资源。

在SiC功率半导体领域，对于器件厂综合竞争力的要求已经从设计、制造和封测一体化延伸至上游衬底材料的全产业链把控，目前全球范围内的衬底争夺战基本结束，未来国内功率器件商对于衬底资源的掌控将成为碳化硅新世界的核心竞争力。

4）国内功率半导体企业全览

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