管理 更新【603595东尼电子 碳化硅新秀 成长空间无限】



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理由：超300亿山东天岳上市在即势必引爆碳化硅行情的高潮



电动车有两颗“大脑”，一颗用来处理数字信号，另一颗便是借助一系列功率半导体（SiC、IGBT）实现对电能有效控制的大脑。由于优秀的物理特性，SiC在1000V以上的中高电压范围具有高压、高温、高频三大优势，是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等领域的核心材料。目前新能源车中的主驱逆变器仍以IGBT+Si FRD方案为主，考虑到未来电动车需要更长的行驶里程，更短的充电时间和更高的电池容量，SiC MOSFET元件将是大势所趋。







东尼布局碳化硅4年，技术来源于美国和日本，研发团队来自台湾，某碳化硅专家透露，东尼碳化硅衬底品质位居国内第一梯队，其选择了一条最严苛的检测路线，送厦门瀚天天成做测试，要求高周期长，而一旦验证通过，将得到产业链的高度认可。根据山东天岳招股说明书描述：“碳化硅晶体中最重要的结晶缺陷之一是微管，降低微管密度是碳化硅产业化应用的重要技术方向，国际领先的碳化硅企业可以将微管密度稳定地控制在 1/cm2以下”，山东天岳小于0.5/cm2。而根据东尼电子定增回复：与其他同行业公司比较，发行人研制的碳化硅半导体材料MPD（微管位错）可达到<0.2/cm2；TSD（螺型位错）可达到86/cm2，TSD在芯片制成中严重影响器件良率；目前发行人试产衬底产品在衬底致命缺陷(MPD, TSD)两个指标上均有优势。





东尼定增规划12万片6英寸导电型碳化硅衬底材料，据最新流传的董事长调研纪要，公司朝着美国产品品质努力，目标春节前量产，三年内达到32万片产能。而露笑科技规划24万片6英寸导电型碳化硅衬底+5万片外延片。















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