新能源车大幅推动三代半导体需求，国内企业已开始全产业链布局

光大证券指出，三代半导体是我国半导体产业弯道超车的重要领域，其中衬底是当前最核心的材料，光大梳理了行业布局情况。

1）新能源汽车为三代半导体带来巨大增量

第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。

新能源汽车为SiC的最重要下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。

根据Yole数据，SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金，CAGR约51%。

碳化硅基氮化镓外延射频器件将从2018年的6亿美金增加到2027年的34亿美金。

碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，CAGR达44%。

目前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。

2）国内厂商开始在第三代半导体进行全产业链布局

国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。

国内厂商碳化硅衬底产品均以4英寸为主，6英寸正在逐步实现量产。

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