一个年复合增速30%的市场，碳化硅处于爆发前夜，国内企业迎来极佳突破口！

目前，硅是制造半导体芯片和器件的最主要原料，90%以上的半导体产品都是以硅为衬底制作的。

然而由于材料本身特性的限制，硅基功率器件已渐渐难以满足5G、新能源车、高铁等高功率高频性能的要求。

东兴证券指出，第三代半导体碳化硅有望替代硅，成为制备高压及高频器件新的衬底材料，目前正处在爆发前夜。

1）碳化硅有效提升功率器件功率密度和效率，降低系统成本

碳化硅作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上。

这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三。

尤其是在电动车领域，碳化硅器件的应用已经成为提升电动车延长行驶里程、缩短充电时间及增大电池容量的重要手段，拥有着跟新能源车共成长的能力。

2019年全球碳化硅功率器件市场规模为5.41亿美元，预计2025年将增长至25.62亿美元，年化复合增速约30%，是个5年5倍的市场。

2）衬底制造是碳化硅产业链的核心环节，价值量占比近50%

碳化硅与硅基器件的原理相似，但碳化硅无论是材料还是器件的制造难度，都显著高于传统硅基。

其中大部分的难度都是碳化硅材料高熔点和高硬度所需特殊工艺带来的，各步骤中难度和价值量最高的是衬底制备环节。

衬底方面美国科锐布局最早，产能和市占率最高。国内以天科合达、山东天岳为首的衬底制造厂商正努力追赶。

而器件制造领域传统的海外功率半导体龙头仍有较髙份额，但领先优势相比于硅基器件有明显减小。

3）第三代半导体，将对国内半导体产业产生全方面推动

东兴证券认为，碳化硅除了器件本身,更对产业有着全方位的带动，有里引领中国半导体进入黄金时代。

原因在于，在第三代半导体追赶的路上，中国企业受到的阻碍将远小于传统硅基领域，是中国大陆半导体(尤其是功率和射频器件)追赶的极佳突破口。

第三代半导体器件主要的应用领域如新能源车、光伏和高铁等，未来的主战场都集中在中国国内企业也与部分车企和家电企业等进行了配套和产业合作，国产器件逐渐导入终端产品供应链，为国内企业带来更多试用、改进的机会。

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