据媒体消息，中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中。发展本国半导体技术以应对外部限制。

知情人士称，中国计划在2021到2025年的五年之内，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持。其称，下一个五年的经济战略包括向无线网络到人工智能等技术领域投入约1.4万亿美元。

昨日下午，受相关消息影响，概念股乾照光电等相关标的直线拉升。

第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石。

相对于传统的硅材料，第三代半导体材料，即宽禁带半导体材料，是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，目前比较成熟的有碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等。其更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。

随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链，全球新一轮的产业升级已经开始。

第三代半导体相关专利申请自2000年以来快速增长，美国早期领衔全球专利增长，而近些年，我国的申请量快速增长，超越美国。英飞凌、ST等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。

为了发展功率半导体，华为也开启了对第三代半导体材料的布局。华为旗下的哈勃科技投资有限公司在2019年8月份投资了碳化硅龙头山东天岳，持股10%。

以下为财联社联合星矿数据梳理各机构关于第三代半导体材料核心标的，其中碳化硅概念股包括台基股份、露笑科技，氮化镓概念股包括海特高新、扬杰科技、士兰微、闻泰科技、三安光电、华润微等。