上证指数：

前篇判断上证指数的下周走势动作，那么本篇再细致的判断具体的下周周线估算具体的涨幅位置。

我们从30分钟K线来看，30分钟MACD指标底背离结构确认成功。

从第一个MACD绿柱开始到第二个MACD绿柱消失，本次构成的底背离形成的时间是约26个小时。

那么按照1.5倍数技术面的经验公式推算，向上的反弹段维持的上涨时间周期约在13-26个小时内。而目前的MACD红柱出现后的上涨段仅约6个小时。

从时间周期上估算，下周还有7-20个小时的多方主导的上涨结构。

也就是说下周将维持2到5个交易日的本次底背离结构支持的上涨时间。

从周线来看，目前的上升通道向上延伸，关键要看下周初（周一和周二）向上 冲关3458点的成色，

打破掉3458点的前高压制后，上涨指数就会向上方的上升通道的上轨线惯性上摸。

以目前上升通道的完整度和上轨线向上上移的速度来估算，

8月4日触及上轨线3391点位置，8月18日触及上轨线3456点位置，经历10个交易日上移65个点幅度，则该趋势上轨线每个交易日上移6.5个点。

自8月18日以后同样过去8个交易日，那么截止本周五收盘，上轨线位置在3508点。

下周五个交易日，每个交易日上移6.5个点，则得出上轨线移动的极限位在3540点位置。

综上得出下周根据技术面判断的上证指数周线结论如下：

（1）弱势主升则经历2个交易日的上涨反弹，到3456点附近止步。

（2）强势主升则经历5个交易日的连续上涨，到3540点附近止步。

（3）以上为两个极端估算，通常周线的涨幅介于两者之间（3456-3540点之间）

上证指数下周周线涨幅判断在1.5%至4%之间。

仓位说明：

目前持有诺安成长（属于半导体混合基金）和国联安半导体（一共约20万）

持有券商（2万）

后续进入9月我将集中精力对半导体后市的趋势做更进判断和预测，以及在9月完成逐步摊低持有的半导体仓位的持仓成本。

半导体在9月内大概率会形成一个横盘平台，拉升期开始的标志是突破7月14日和8月5日的高点连线。

目前持有诺安成长，国联安半导体，银河创新成长被套的投资者，可以参考我后续的操作策略。

每个交易日下午2点半更新后续操作（理性参考）