半导体（科技类）指数专题更进分析：

前文从日线的趋势结构来进行分析半导体目前发展的进程结构，本篇主要从超短线的角度直接分析下周初的行情走势方向。

半导体有专门的指数，我们看一下下周一开盘各多周期均线的位置。

五日均线在6759点（继续下移），10日均线在6892点（继续下移），60日均线在6877点（长期均线在缓慢上移）

其余的多周期均线还在依次在上方排列也是逐步下移的走向。

这在均线理论上称为空头排列（多数均线近似平行的排列在K线价格上方，且短周期均线未来的趋势下依次穿过60日均线）

半导体在经历7连跌的情况下，于本周四展开第一次超跌反弹收出一个不彻底的反击阳线，随后周五早盘还处于回调的情况，午后在各大指数收中阳线的带动下，于收盘突破掉五日均线。

从目前看本周四开始向上的第一段反弹向上摸的目标在6892点10日均线位置，（如果大盘指数冲关3458点失败，半导体目前的弱势格局就会掉头去回踩下方五日均线。

按照目前五日均线的发展，至少需要1至2个交易日才能走平拐头向上。

老股认为8月底至9月初的下周，半导体要形成一个双底结构出现，周一较大预期会随着上证指数向上冲关3458点，半导体还能冲一下6877点—6892点（向上上涨幅度估算在1%-1.2%）

（1）如果上证指数最终冲关失败，那么半导体会在冲高后转向向下回落至6700区域回踩确认五日均线。

（2）如果上证指数最终冲关站上3458点上方成功，成功站上新的上箱体区间，那么半导体会直接突破掉10日均线的压制，类似收出本周四的阳线。（如果形成下跌后的三连阳，那么首次冲高结束只会窄幅的回踩确认10日均线不会对下方五日均线做出回踩，五日均线自然会拐头向上跟上股价。）

综上做一个预测结论的总结：

我认为预期走势为，半导体先向上冲高到6877-6892点附近，然后有一个向下回撤过程。

而这个回撤的形式取决于大盘的稳定度。大盘冲关失败再次不稳定就回踩的深一些，大盘冲关成功全场强势主升，那么半导体就会盘中直接震荡消化然后随上证指数继续跟涨向上。

（1）大盘冲关3458点失败，半导体回前低6700点附近做一个小双底。

（2）大盘冲关成功，半导体走V型反弹，盘中强行消化抛压直接站上6892点10日均线。

仓位说明：

目前持有诺安成长（属于半导体混合基金）和国联安半导体（一共约20万）

持有券商（2万）

后续进入9月我将集中精力对半导体后市的趋势做更进判断和预测，以及在9月完成逐步摊低持有的半导体仓位的持仓成本。

半导体在9月内大概率会形成一个横盘平台，拉升期开始的标志是突破7月14日和8月5日的高点连线。

目前持有诺安成长，国联安半导体，银河创新成长被套的投资者，可以参考我后续的操作策略。

每个交易日下午2点半更新后续操作（理性参考）