长方集团:公司董事长王敏博士团队研发的第三代半导体“硅衬底高光效氮化镓GaN基蓝色发光二极管”项目曾获国家技术发明奖一等奖；

实控人旗下晶能光电是硅衬底LED技术的上游企业，晶能光电硅衬底LED 全球领先。

露笑科技

1、露笑科技致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链，中国顶尖团队致力打造碳化硅的国之重器。

（1）在碳化硅长晶炉方面，公司曾与伯恩合作共同布局苹果用蓝宝石业务，依托于历史的蓝宝石业务积累，公司目前战略转型布局碳化硅业务。

（2）在碳化硅晶片方面，公司引进国内最早和最顶尖的从事碳化硅晶体生长研究的技术团队——陈之战博士研究团队。

2、2019年8月5日公司全资子公司内蒙古露笑蓝宝石有限公司与国宏中宇科技发展有限公司签订的《碳化硅长晶成套设备定制合同》，合同总金额1.26亿元人民币。

3、2020年7月30日，露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶体有限公司新建碳化硅衬底片产业化项目开工。该项目计划总投资6.95亿元，项目主要采用碳化硅升华法长晶工艺及SiC衬底加工工艺，引进具有国际先进水平的6英寸导电晶体生长炉、4英寸高纯半绝缘晶体生长炉等设备，购置多线切割机、抛光机等国产设备，建成后形成年产8.8万片碳化硅衬底片的生产能力。

4、2020年8月3日与合肥市长丰县人民政府在合肥市共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发，项目投资总规模预计100亿元碳化硅功率器件具有高频、 高效、 高温、 高压等优势，是下一代功率器件的发展方向。

乾照光电

1、公司自2014年起即大规模量产氮化镓LED外延片和芯片。目前乾照光电本身没有生产氮化镓，只有一家参股公司生产氮化镓。氮化镓只是公司生产LED芯片和外延片的材料之一。

2、扩大在氮化镓产业链的投入。乾照光电于2018年11月发布公告拟出资15.97亿元建设VCSEL、高端LED芯片等半导体研发生产项目，由公司全资子公司厦门乾照半导体科技有限公司负责承办。2019年上半年开工建设，建设期预计22个月，2021年建成投产，2022年实现满产运行。乾照光电在公告中表示，砷化镓/氮化镓半导体器件主要依附于MOCVD进行外延生产，技术含量高；在军用和民用无线通讯等领域需求旺盛。乾照光电凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，通过本项目的建设，将有助于乾照光电在其他市场领域的突破，对公司的战略发展具有重要意义。

3、乾照光电是为深圳第三代半导体研究院共建单位之一。

三安光电

1、三安光电的主营：

三安光电目前的业务有两大块，一个是LED芯片业务，一个是集成电路业务。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

三安光电凭借强大的企业实力，继2014年扩大LED外延芯片研发与制造产业化规模、同时投资集成电路产业，建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目之后，2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区，斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC（碳化硅）材料及器件、特种封装等产业

1、氮化镓（GaN）的布局：三安光电主在半导体材料的布局以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心方向，掌握的产品核心技术及研发能力均达到国际同类产品的技术水平。在2017年到2019年间，三安光电先后打造了三大项目：333亿元的泉州三安项目，主攻高端氮化镓LED衬底等；120亿元的湖北三安项目，研发III-V族化合物；138亿元的半导体研发与产业化项目，聚焦氮化镓、砷化镓、特种封装三大业务板块。

2、定增成功继续加码氮化镓产业链。2020年2月，公司拟定增建包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片;高端砷化镓LED外延、芯片;大功率氮化镓激光器;特种封装产品应用四个产品方向的研发、生产基地。

3、氮化镓产品已经量产。根据三安光电之前的互动平台显示，三安光电目前公司氮化镓产能约2000片每月，产能还在增加。据了解，三安集成是国内唯一一家具备量产能力的PA代工厂，三安集成在PA代工方面的技术主要来源于台系厂商环宇，环宇透过三安环宇将4G手机PAHBT技术转移给三安，环宇则收取权利金，但技术转移部分并没有包含5G手机PA。目前，华为自研的PA芯片开始释单给三安集成，并计划于第一季度小量产出，第二季开始大量产出。

2、碳化硅（SiC）的布局：

1）、三安光电在2020年6月17日亦公告：公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资160亿元人民币建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。公司表示，湖南三安在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。

2）、三安光电在2020年8月19日公告称：公司全资子公司湖南三安半导体有限责任公司拟以现金收购福建北电新材料科技有限公司100%股权。北电新材在福建安溪县湖头镇横山村建设碳化硅衬底生产项目，项目主要从事碳化硅衬底的生产，项目规划年产能3.6万片(折合6英寸)。

海特高新

1、GaN外延晶圆：公司控股子公司海威华芯第一条6吋第二代/第三代化合物半导体晶圆生产线,同时具有砷化镓、氮化镓以及相关高端光电产品的生产能力，技术指标达到国外同行业先进水平。目前已达到砷化镓2000片/月,氮化镓600片/月的晶圆制造能力，公司部分产品已经实现量产。

2、碳化硅工艺：海威华芯已完成包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等在内的6大类工艺产品的研发。产品广泛应用于5G移动通信、AI人工智能、雷达、汽车电子、电力电子、光纤通讯、3D感知、新能源、防务等领域；

赛微电子（创业板）

1、GaN外延晶圆：

赛微电子子公司聚能晶源的GaN材料将2020年9月正式投产，产能为年产1万片GaN外延晶圆，既可生产提供标准结构的 GaN 外延晶圆，也可根据客户需求开发、量产定制化外延晶圆。目前公司GaN外延材料方面的产品技术指标达到业界领先水平，已有少量销售并正将产品送给数家国际厂商进行验证试用。

2、GaN器件：

公司目前在GaN材料及器件方面发及产业化的进展比较快，GaN器件进入小规模试产阶段。在GaN器件方面目前在快充功率器件及应用方案方面已成熟并进行发布，面向下游电源、家电等用户，逐渐进入小批量试产阶段。