IGBT全球市占率为0.54%，自研占比逐步提升，与IGBT配套的FRED 产品国内市占率已达3.8%，未来产能拟扩充一倍多...

在新能源汽车、光伏、风电、储能等多重趋势的加持下IGBT作为技术壁垒最高的细分赛道随着斯达半导的上市而备受关注。现如今继斯达后最纯正的IGBT第二股——宏微科技已悄然上市，其技术水平与斯达半导相当，更关键是宏微还拥有FRED芯片技术，其与IGBT芯片一起被封装为IGBT模块，那么宏微科技质地究竟如何?且看今日为你深度剖析！

节能减排+新能源持续推动功率器件快速发展，IGBT、FRED、MOSFET 等新型功率半导体器件增速较快，进口替代空间巨大

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件和“CPU”，主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、变频等，具有应用范围广、用量大等特点，广泛应用于工业控制、新能源发电和电能质量管理、汽车电子和汽车充电桩等领域，尤其是在大功率、大电流、高频高速、低噪声等应用领域起着无法替代的关键作用。

2020年全球功率半导体市场规模为422亿美元，分应用领域分布看工业占比35%、汽车、通讯占比在23%左右，消费电子占比在18%左右。

从类别看晶体管是市场份额最大的种类，其又分为 IGBT、MOSFET 和双极型晶体管等，近年来我国IGBT、FRED、MOSFET 等新型功率半导体器件保持了较快的发展态势。未来随着新能源车（电机控制器、车载空调、充电桩）、光伏等行业的快速发展，MOSFET、IGBT 在功率半导体的市场规模占比有望持续提升。

小贴士：

FERD:快速恢复外延二极管也称快速功率二极管，是快恢复二极管(FRD)的一种。

其中IGBT 是国际上公认的电力电子技术第三次革命具代表性的产品，其也是功率半导体器件产业链中对研发实力要求很高的环节，国内已有少数企业的技术实力逐步赶上国际主流先进企业水平。我国是全球最大IGBT市场，受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加，预计我国2018-2025年IGBT复合增速将超19%，市场规模将从2018年的153亿增至2025年的522亿元。其中工业控制领域IGBT2019年市场规模为30亿，随着节能环保政策支持，变频器在冶金、煤炭、石油化工等领域将保持稳定增长；同时逆变焊割设备、逆变式弧焊电源等渗透率的不断提升都将有助于增加对IGBT需求量的增长。

在新能源汽车领域，IGBT 约占新能源汽车电控系统成本的 37%，是电控系统中最核心的电子器件之一，预计我国新能源汽车IGBT市场规模将从2020年的42亿元大幅提升至2025年的165亿元。同时IGBT也是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件，预计到2025 年我国新能源发电通过柔性输电并网比例将会提升至 71%，我国新能源发电 IGBT 市场规模将会增加到 14.4 亿元。

此外智能电网、智能控制、轨道交通等领域也发展迅速，对以 IGBT 为代表的电力半导体器件的需求也在不断扩大。

同时我国IGBT国产替代进程正在加速，自给率已从2015年的10%大幅提升至2020年的18.36%，预计到2024年将提升至40%。

从全球来看2019 年全球 IGBT 模块前五大厂商英飞凌、三菱、富士、赛米控、威科电子合计市占率超68%，尤其是3300V 以上的高端 IGBT 市场外资厂商优势明显。国内 IGBT 模块主要企业包括厂商有采用 IDM 模式的中车时代、比亚迪、士兰微、华微电子等企业，以及具备设计和模块封测能力的企业如斯达半导、宏微科技、台基股份等。

IGBT 按照封装形式和集成程度不同可分为单管、模块和智能功率模块（IPM）三类产品，市场规模占比分别为52%、21%、27%。

• 单管：内封装了单颗ICBT芯片，用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器及小功率变频器

• 标准模块：由IGBT芯片与快恢复二极管（FRD)通过特定的电路桥接封装而成，更适合高压大电流场景，用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车（电机控制器、车载空调、充电桩）等领域

• 智能功率模块（IPM）：由IGBT模块与驱动IC集成，用于变频空调、变频洗衣机等白色家电，相比普通IGBT模块更智能化

公司FRED 芯片+IGBT 芯片双轮驱动，产品性能接近国际水平，但与英飞凌等国际先进水平仍存在代际差距

公司成立于2006年，成立之初就从事FRED （快恢复外延二极管）芯片和 IGBT 芯片的研发，截至目前公司主要从事功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的研发生产和销售，并为客户提供功率半导体器件解决方案，产品涵盖IGBT、FRED、MOSFET 芯片及单管产品 100 余种， IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品 400 余种，电流范围从 3A 到 1000A，电压范围从 60V 到 2000V，产品品类丰富，形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管到 MOSFET 到 IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率模块的全系列、多规格产品格局。

公司实际控制人赵善麒先生是国家特聘专家、“国务院突出贡献专家特殊津贴”获得者，是公司承担的国家重大专项项目 001 和 004 子课题的首席专家。

公司FRED （快恢复外延二极管）芯片的研发迭代进度如下：

• 2007年推出FRED第一代芯片;

• 2017 年研发成功 1000V、1200V FRED 第三代（M3d）高频 FC 系列，满足不同负载 状况下器件开关高效率的要求

• 之后又先后开发了第四代 FRED 产品以及第五代 FRED 产品，其中2019年推出的第五代产品对标英飞凌2010年推出的Emcon4 产品

公司的FRED 芯片能够实现极快的反向恢复时间，且保持恢复时超软的特性，目前公司主推是第三代、第四代和第五代，其中第三代用于单管产品；第四代和第五代分别用于不同功率的 IGBT 模块产品；目前正在开发第六代芯片用于单管产品, 第六代芯片相比第三代预计损耗降低约 10-15%。公司2020年FRED 产品收入规模为9286.2万，收入占比达三成左右，在国内市占率为3.86%

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