拓荆科技立足自主创新，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化核心技术，并达到国际先进水平。其中，公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术，不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升了客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。拓荆科技经过10多年的技术积累，已形成覆盖20余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。                                                                                                               其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，一举打破了薄膜沉积设备长时间被国际厂商垄断的局面。拓荆科技已经成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。   

拓荆科技在科创板发行上市主要是为开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发、开发ThermalALD和大腔室PEALD，以及升级SACVD设 备，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备。在加强产品技术研发的同时，拓荆科技还将逐步培育和完善国内相关产业链，提高设备零部件的国产化率。同时，公司还将利用国产设备厂商的综合优势，为客户提供定向技术开发与服务，以此助力半导体产业链发展，保障产业链的技术先进性。